本季度三星打算停止生產(chǎn)B-die內(nèi)存顆粒，這是一種在超頻能力上非常突出的內(nèi)存零配件，DRAM模塊制造商通常使用三星的B-die 8 Gb內(nèi)存芯片來組裝超頻能力最強(qiáng)的內(nèi)存。

　　三星將繼續(xù)使用其10納米級工藝技術(shù)生產(chǎn)C-die和D-die 8 Gb內(nèi)存芯片。通常官方會建議用其制造DDR4-3200和DDR4-3600，同樣適用于高端內(nèi)存模塊，但并非所有DIMM制造商都將它們用于頂級產(chǎn)品，尤其是與B-die相比。同時，三星還列出了采用10納米級工藝技術(shù)制造的16 Gb A-die存儲器件，這些器件用于構(gòu)建服務(wù)器和工作站所需的高容量32 GB UDIMM和其他存儲器模塊。

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