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MZ-V9S1T0BW三星990EVO plus 1T M.2 NVME固態(tài)硬盤 返回

產(chǎn)品詳情

MZ-V9S1T0BW三星990EVO plus 1T M.2 NVME固態(tài)硬盤



基本參數(shù)
產(chǎn)品型號990 EVO Plus
產(chǎn)品定位消費類
存儲容量1TB
接口類型M.2 PCIe接口
硬盤尺寸M.2-2280
閃存構(gòu)TLC三層單元
緩存HMB
通道Gen4.0×4/Gen5.0×2
存儲介質(zhì)三星 V-NAND TLC


性能參數(shù)
讀取速度7250MB/s
寫入速度6300MB/s
4K隨機讀1050K IOPS
4K隨機寫1400K IOPS
電源功耗平均功耗(系統(tǒng)水平):平均讀取速度5.5W/寫入速度4.8W
功耗(待機):典型60mW
平均無故障時間150萬小時



其它參數(shù)
S.M.A.R.T.支持支持
TRIM功能支持TRIM
外形尺寸80.15×22.15×2.38mm
產(chǎn)品重量9g
工作溫度0-70℃
其它性能設(shè)備睡眠模式支持,自動垃圾回收算法,AES 256-bit加密 (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (加密驅(qū)動器)
質(zhì)保期限5年
    熱門產(chǎn)品

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