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MZ-V9S2T0BW三星990EVO plus 2T M.2 NVME固態(tài)硬盤(pán) 返回

產(chǎn)品詳情

MZ-V9S2T0BW三星990EVO plus 2T M.2 NVME固態(tài)硬盤(pán)


基本參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào)990 EVO Plus
產(chǎn)品定位消費(fèi)類(lèi)
存儲(chǔ)容量2TB
接口類(lèi)型M.2 PCIe接口
硬盤(pán)尺寸M.2-2280
閃存架構(gòu)TLC三層單元
緩存HMB
通道Gen4.0×4/Gen5.0×2
存儲(chǔ)介質(zhì)三星 V-NAND TLC


性能參數(shù)
讀取速度7250MB/s
寫(xiě)入速度6300MB/s
4K隨機(jī)讀1050K IOPS
4K隨機(jī)寫(xiě)1400K IOPS
電源功耗平均功耗(系統(tǒng)水平):平均讀取速度5.5W/寫(xiě)入速度4.8W
功耗(待機(jī)):典型60mW
平均無(wú)故障時(shí)間150萬(wàn)小時(shí)


其它參數(shù)
S.M.A.R.T.支持支持
TRIM功能支持TRIM
外形尺寸80.15×22.15×2.38mm
產(chǎn)品重量9g
工作溫度0-70℃
其它性能設(shè)備睡眠模式支持,自動(dòng)垃圾回收算法,AES 256-bit加密 (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (加密驅(qū)動(dòng)器)
質(zhì)保期限5年



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